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  • 77 篇 江苏省徐州市邳州...
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作者

  • 25 篇 许开东
  • 18 篇 范希营
  • 18 篇 闫一方
  • 15 篇 胡冬冬
  • 13 篇 王岩
  • 13 篇 罗帅
  • 12 篇 季海铭
  • 10 篇 李响
  • 10 篇 李娜
  • 10 篇 闫明伍
  • 8 篇 陈璐
  • 6 篇 程实然
  • 6 篇 车东晨
  • 5 篇 侯永刚
  • 4 篇 刘自明
  • 4 篇 崔虎山
  • 4 篇 徐鹏飞
  • 4 篇 汪振豪
  • 4 篇 王珏斌
  • 4 篇 程鹏

语言

  • 130 篇 中文
检索条件"机构=221300 江苏省徐州市邳州市邳州经济开发区辽河西路88号"
130 条 记 录,以下是121-130 订阅
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一种验证晶圆老化的烘烤装置、系统及其方法
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作者: 王印玺 秦超 陶源 221300 江苏省徐州市邳州市邳州经济开发区辽河路北侧、华山路西侧
本发明提供一种验证晶圆老化的烘烤装置、系统及其方法,包括烤箱,烤箱包括加热器、电子锁、风机、风速传感器、温度传感器和控制器,加热器、电子锁、风机、风速传感器和温度传感器与控制器电连接。本发明能够实时监测记录晶圆烘烤过...
来源: 万方专利 评论
一种氟化氢气相腐蚀设备及方法
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作者: 许开东 221300 江苏省徐州市邳州市邳州经济开发区辽河西路8号
本发明公开一种氟化氢气相腐蚀设备及方法,涉及微纳器件加工技术领域,旨在解决现有技术中氟化氢气相腐蚀中使用氢氟酸作为气相氟化氢源时容易产生固体残留物的问题。所述设备包括反应腔室、气相氟化氢源、和氟化氢气相增益装置,所述...
来源: 万方专利 万方专利 评论
样品分析系统以及样品分析方法
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作者: 康斯坦丁·莫吉利尼科夫 许开东 221300 江苏省徐州市邳州市邳州经济开发区辽河西路8号
本发明公开一种样品分析系统以及样品分析方法,该样品分析系统具备:样品台,其对样品进行支撑且角度可调节;气体供给单元,包括混合气体制备装置和气流喷出装置,其中,所述混合气体制备装置用于形成混合气体,所述气流喷出装置将所...
来源: 万方专利 评论
等离子体刻蚀机预真空腔的机械手
等离子体刻蚀机预真空腔的机械手
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作者: 李娜 胡冬冬 程实然 车东辰 221300 江苏省徐州市邳州市邳州经济开发区辽河西路8号
本实用新型公开了一种简单易控、稳定性好的等离子体刻蚀机预真空腔的机械手,其包括托盘机构和移动机构,所述托盘机构包括手臂和手指,所述手臂末端固定在所述移动机构上并随之移动,所述手臂前端与所述手指连接,所述手臂厚度大于所...
来源: 万方专利 评论
一种等离子体反应腔进气系统
一种等离子体反应腔进气系统
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作者: 许开东 胡冬冬 李娜 琚里 邱勇 侯永刚 车东晨 陈璐 221300 江苏省徐州市邳州市邳州市经济开发区辽河西路8号
本发明公开一种等离子体反应腔进气系统,包括设置在等离子反应腔上部的中心进气孔和设置在等离子体反应腔边缘的边缘进气孔,还包括匀气内环,其表面开设有导气孔,以可绕轴向转动的方式设置在所述等离子反应腔内。本发明通过设计导气...
来源: 万方专利 评论
一种半导体器件制作方法
一种半导体器件制作方法
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作者: 蒋中原 刘自明 王珏斌 车东晨 崔虎山 胡冬冬 陈璐 任慧群 邹志文 许开东 221300 江苏省徐州市邳州市邳州市经济开发区辽河西路8号
本发明公开一种半导体器件制作方法,所使用的刻蚀装置包括样品装载腔室、真空过渡腔室、反应离子等离子体刻蚀腔室、离子束刻蚀腔室、镀膜腔室以及真空传输腔室。在不中断真空的情况下,首先利用反应离子刻蚀到达隔离层,然后离子束刻...
来源: 万方专利 评论
一种单隔离层磁隧道结刻蚀方法
一种单隔离层磁隧道结刻蚀方法
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作者: 胡冬冬 王珏斌 蒋中原 刘自明 车东晨 崔虎山 陈璐 任慧群 孙宏月 许开东 221300 江苏省徐州市邳州市邳州市经济开发区辽河西路8号
本发明公开一种单隔离层磁隧道结刻蚀方法,所使用的刻蚀装置包括样品装载腔室、真空过渡腔室、反应离子刻蚀腔室、离子束刻蚀腔室、镀膜腔室以及真空传输腔室,在不中断真空的情况下,在反应离子刻蚀腔室、离子束刻蚀腔室、镀膜腔室依...
来源: 万方专利 评论
一种磁隧道结刻蚀方法
一种磁隧道结刻蚀方法
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作者: 刘自明 王珏斌 蒋中原 车东晨 崔虎山 胡冬冬 陈璐 孙宏月 韩大健 许开东 221300 江苏省徐州市邳州市邳州市经济开发区辽河西路8号
本发明公开一种磁隧道结刻蚀方法,所使用的刻蚀装置包括样品装载腔室、真空过渡腔室、反应离子等离子体刻蚀腔室、离子束刻蚀腔室、镀膜腔室、以及真空传输腔室。本方法包括多次反应离子等离子体刻蚀、离子束刻蚀以及镀膜步骤,在上述...
来源: 万方专利 评论
一种等离子体刻蚀设备及其鞘层电压的测量方法
一种等离子体刻蚀设备及其鞘层电压的测量方法
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作者: 刘小波 李雪冬 车东晨 邱勇 陈兆超 陈璐 胡冬冬 许开东 221300 江苏省徐州市邳州市邳州市经济开发区辽河西路8号
本发明公开一种等离子体刻蚀设备及其鞘层电压的测量方法,能够简单准确地测量等离子体刻蚀设备的鞘层电压。该等离子体刻蚀设备,包括:设置在反应腔室内的静电吸盘,用于放置待刻蚀工件;静电吸盘包括至少一组电极对,每组电极对包括...
来源: 万方专利 评论
一种磁隧道结制作方法
一种磁隧道结制作方法
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作者: 车东晨 许开东 刘自明 蒋中原 王珏斌 崔虎山 胡冬冬 陈璐 邹志文 孙宏月 221300 江苏省徐州市邳州市邳州市经济开发区辽河西路8号
本发明公开一种磁隧道结制作方法,所使用的刻蚀装置包括样品装载腔室、真空过渡腔室、反应离子等离子体刻蚀腔室、离子束刻蚀腔室、镀膜腔室以及真空传输腔室,在不中断真空的情况下,利用反应离子等离子体刻蚀腔室、离子束刻蚀腔室和...
来源: 万方专利 评论