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检索条件"主题词=IGBT"
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上海先进试制6500V机车用IGBT芯片通过中车产品鉴定
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集成电路应用 2015年 第11期 44-44页
由中国电器工业协会电力电子分会组织的'中国中车完全自主知识产权6500V大功率IGBT芯片与模块产品鉴定暨发布会'在西安召开,经专家组评议一致认为:由上海北车永电电子科技有限公司与上海先进半导体制造股份有限公司联合开发的国内首个... 详细信息
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IGBT短路情况下瞬态温度的测量及建模
电力牵引快报
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电力牵引快报 1998年 第4期 28-36页
作者: A.Ammous 张劲松 突尼斯
本文讨论了对交流器内元件损坏可能性的估算,目的是通过仿真方法来预测失效。研究了绝缘栅双极晶体管(IGBT)在短路情况下的热损坏;提出了一个简单的试验方法,来估算元件在较低的门—源电压和冷却工况下饱和电流响应时的温度延迟,同时... 详细信息
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基于双PWM变频器的交流调速技术探讨
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价值工程 2015年 第8期34卷 39-40页
作者: 李泽洪 陈明新 武汉工程职业技术学院
随着电力电子技术的不断发展,功率器件的不断更新,控制技术的不断完善,越来越多的场合采用变频调速来有效地改善系统运行效率。文章探讨了新型的双PWM变频器对整流侧和逆变侧均采用PWM技术,其网侧电流接近正弦波、网侧功率因数可控、电... 详细信息
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Short-circuit fault analysis and isolation strategy for matrix converters
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Journal of Central South University 2015年 第9期22卷 3458-3470页
作者: Wang Li-na De Lillo, L. Brunson, C. Empringham, L. Wheeler, P. Beihang Univ Sch Automat Sci & Elect Engn Beijing 100191 Peoples R China Univ Nottingham Dept Elect & Elect Engn Nottingham NG7 2RD England
The behavior of matrix converter (MC) drive systems under the condition of MC short-circuit faults is comprehensively investigated. Two isolation strategies using semiconductors and high speed fuses (HSFs) for MC shor... 详细信息
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Lifetime Prediction of IGBT Modules in Suspension Choppers of Medium/Low-Speed Maglev Train Using an Energy-Based Approach
Microbiol Immunol
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Microbiol Immunol 2019年 第1期34卷 738-747页
作者: Yang, Xin Lin, Zhikai Ding, Jingfang Long, Zhiqiang Natl Univ Def Technol Coll Mechatron Engn & Automat Changsha 410073 Hunan Peoples R China
Maglev trains attracted to suspend above tracks with-out mechanical contact is a promising type of track transportation. Suspension choppers with levitation magnets resembling wheels of traditional trains or tires of ... 详细信息
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基于直接转矩控制的交流伺服系统
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电气时代 2001年 第4期 17-18页
作者: 唐勇奇 赵葵银 伍萍辉 湖南工程学院
1.前言 交流伺服系统在机械制造、工业机械人、航空航天等领域获得了广泛的应用,为使系统获得较好的动态和静态性能,其控制对象大多采用了永磁同步电动机(PMSM)。 直接转矩控制技术是继矢量变换控制之后,在交流调速领域里出现的一种新... 详细信息
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IGBT逆变式CO2焊机的特点
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设备管理与维修 1997年 第12期 20-21页
作者: 殷树言 黄鹏飞 北京工业大学焊接教研室 北京工业大学焊接教研室 北京朝阳区平乐园100号 100022
一、弧焊逆变电源概述 逆变是与整流相对应的过程,利用功率开关器件把直流转变为交流,用这种原理制造的弧焊电源即弧焊逆变电源。 由于逆变电源中变压器工作频率一般可达十几kHz甚至上百kHz,因而体积和重量都比工频变压器有了大幅度下降... 详细信息
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A New Fin p-Body Insulated Gate Bipolar Transistor With Low Miller Capacitance
IEEE Electron Device Letters
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IEEE Electron Device Letters 2015年 第6期36卷 591-593页
作者: Feng, Hao Yang, Wentao Onozawa, Yuichi Yoshimura, Takashi Tamenori, Akira Sin, Johnny K. O. Hong Kong Univ Sci & Technol Dept Elect & Comp Engn Hong Kong Hong Kong Peoples R China Fuji Elect Co Ltd Matsumoto Nagano 3900821 Japan
A new fin p-body insulated gate bipolar transistor (Fin-p IGBT) is designed and experimentally demonstrated. The device features wide trenches and spacer gates, which is implemented using a simple and low-cost process... 详细信息
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安森美半导体推出领先业界的最佳系统级性能的IGBT
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中国集成电路 2013年 第6期22卷 40-40页
安森美半导体持续扩充高性能绝缘双极晶体管(IGBT)产品阵容,应用于消费类电器及工业应用的高性能电源转换(HPPC)。安森美半导体新的第二代场截止型(FSII)IGBT器件改善开关特性,降低损耗达30%,因而提供更高能效,并转化为更低的外壳温度,... 详细信息
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An injection efficiency model to characterize the injection capability and turn-off speed for > 10 kV 4H-SiC IGBTs
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Solid-State Electronics 2014年 93卷 27-39页
作者: Lee, Meng-Chia Huang, Alex Q. N Carolina State Univ Dept Elect Engn Raleigh NC 27606 USA FREEDM Syst Ctr Raleigh NC 27606 USA
This work analytically formulates the relationship among the followings for characterization purpose: (i) YE (injection efficiency), (ii) excess charge stored during on-state and (iii) charge extraction rate and volta... 详细信息
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