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语言

  • 106 篇 中文
检索条件"作者=王裕平"
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稀有气体二聚体解析势能函数的高精度拟合
原子与分子物理学报
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原子与分子物理学报 2021年 第2期 44-48页
作者: 涛玉 李莹莹 陈钰竹 林哲民 贵州应用技术职业学院化学工程系药物分子设计重点实验室
原子间相互作用势的计算是原子分子物理研究领域的重要组成部分,它的精确计算为新型材料的研究奠定了理论基础;同时也为密度泛函等方法的评价、测试提供了标准对比数据.本文首先以最近所发表的Ng D×15基准集为基础,在相同的计算方法下... 详细信息
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稀有气体二聚体基准集NgD×15构建及其对DFT方法的评价
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原子与分子物理学报 2020年 第3期37卷 343-348页
作者: 魏孝珍 一波 贵州大学化学系贵州省高性能计算化学重点实验室
基准集是训练和评价量子化学计算方法的重要工具,稀有气体二聚体Ng2作为重要的弱色散体系,目前为止仍没有一个较为完整、精确的基准集,最近Head Gordon研究组发表MGCD84数据库时,其RG10基准集仍沿用了Tang-Toennies经验势.本文首先以He... 详细信息
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一种制作半导体元件的方法
一种制作半导体元件的方法
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作者: 施易安 曾奕铭 李怡慧 刘盈成 中国台湾新竹市
本发明公开一种制作半导体元件的方法,其主要先形成一金属间介电层于一基底上,然后形成一金属内连线于该金属间介电层内,形成一下电极层于该金属间介电层上,形成一遮盖层于该下电极层上,再去除部分该遮盖层、部分该下电极层以及部...
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半导体元件及其制作方法
半导体元件及其制作方法
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作者: 冯雅圣 林宏展 陈禹钧 邱久容 中国台湾新竹市
本发明公开一种半导体元件及其制作方法,该制作半导体元件的方法为,首先形成一第一金属间介电层于一基底上,然后形成一磁性隧穿接面(magnetic tunneling junction,MTJ)于第一金属间介电层上,接着形成一衬垫层于该MTJ以及第一金属间...
来源: 万方专利 评论
磁性随机存取存储器结构
磁性随机存取存储器结构
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作者: 朱中良 陈昱瑞 中国台湾新竹市
本发明公开一种磁性随机存取存储器(magnetic random access memory,MRAM)结构,包含一晶体管,包含有一栅极、一源极以及一漏极,一磁性隧穿介面(magnetic tunnel junction,MTJ)元件,至少包含有一自由层、一绝缘层以及一固定层,其...
来源: 万方专利 评论
磁阻随机存取存储单元
磁阻随机存取存储单元
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作者: 慧琳 施易安 李怡慧 曾奕铭 曾译苇 明俊 翁宸毅 谢晋阳 张境尹 林建廷 刘盈成 中国台湾新竹市
本发明公开一种磁阻随机存取存储单元,其包含:一基底,其上具有一介电层;一导孔,设于该介电层中;一柱状堆叠,设于该导孔上,该柱状堆叠包含一底电极、一磁隧穿结层,设于该底电极上,以及一顶电极,设于该磁隧穿结层上;以及一间...
来源: 万方专利 评论
磁阻式随机存取存储器结构及其制作方法
磁阻式随机存取存储器结构及其制作方法
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作者: 李怡慧 曾奕铭 刘盈成 施易安 中国台湾新竹市
本发明公开一种磁阻式随机存取记忆体存储器结构及其制作方法,该磁阻式随机存取存储器结构包含一介电层,一接触洞设置于介电层中,一接触插塞填入接触洞并且凸出于介电层,其中接触插塞包含一下部元件和一上部元件,下部元件填入接触...
来源: 万方专利 评论
半导体元件及其制作方法
半导体元件及其制作方法
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作者: 慧琳 刘盈成 施易安 李怡慧 翁宸毅 谢晋阳 曾奕铭 张境尹 中国台湾新竹市
本发明公开一种半导体元件及其制作方法,其中该半导体元件包含一金属氧化物半导体晶体管设于一基底上,一层间介电层设于该金属氧化物半导体晶体管上,以及一磁性隧穿结(magnetictunnelingjunction,MTJ)设于该层间介电层上,其中MTJ上...
来源: 万方专利 评论
半导体存储器元件及其制作方法
半导体存储器元件及其制作方法
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作者: 慧琳 许家彰 翁宸毅 林宏展 张境尹 中国台湾新竹市
本发明公开一种半导体存储器元件及其制作方法,该半导体存储器元件包含基底,具有存储单元区域和对准标记区域、介电层,覆盖存储单元区域和对准标记区域、导电通孔,位于存储单元区域内的介电层中、对准标记沟槽,位于对准标记区域的...
来源: 万方专利 评论
超大型无动力FPSO海上浮装半潜船操纵实例
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航海技术 2019年 第2期 23-26页
作者: 盛晓强 青岛港引航站
0引言随着中国制造'2025'战略的逐步实施,新一轮科技革命正在造船业孕育兴起,一大批科技含量较高的海洋工程特种船应运而生,超大型无动力浮式生产储油船(Floating Production Storage and Offloading,FPSO)就是代表之一。FPSO作为一... 详细信息
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