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作者

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语言

  • 343 篇 中文
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硅光电二极管的光谱响应测量及其响应时间研究
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现代物理 2020年 第5期10卷 73-78页
作者: 曾丽娜 李林 李再金 杨红 李功捷 赵志斌 李志波 乔忠良 刘国军 海南师范大学 物理与电子工程学院海南省激光技术与光电功能材料重点实验室海南 海口
在气流和温度稳定,卤素灯照明为背景光的环境下,当硅光电二极管未达到最大响应时测量了硅光电二极管对入射光波长为400 nm至1050 nm的光谱响应。分析了硅光电二极管的光谱响应的影响条件和硅光电二极管的光谱响应规律。在测光电路中采... 详细信息
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激光打标有机玻璃实验研究
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大学物理实验 2020年 第1期33卷 37-39页
作者: 曾丽娜 李再金 李林 赵志斌 乔忠良 彭鸿雁 海南师范大学物理与电子工程学院
利用脉冲激光标刻系统进行了有机玻璃标刻对比实验,通过对比实验数据总结出在有机玻璃表面标刻过程中材料的变化过程和标刻效果。分析了不同激光标刻系统的三个参数,包括标刻速度、标刻功率、标刻次数对有机玻璃表面激光标刻效果的影响。
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带有五阶梯型量子阱和倒V型电子阻挡层的发光二极管
带有五阶梯型量子阱和倒V型电子阻挡层的发光二极管
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作者: 赵志斌 谢琼涛 李再金 李林 徐东昕 乔忠良 571158 海南省海口市龙昆南路99号
本发明公开了一种带有五阶梯型量子阱和倒V型电子阻挡层的发光二极管,包括蓝宝石衬底,蓝宝石衬底顶端自下而上依次生长有n‑Al0.6Ga0.4N层、多量子阱有源区、p‑AlxGa0.18N电子阻挡层、p‑Al0.6Ga0.4N层、p‑GaN欧姆接触层,p‑AlxGa0.18N...
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高峰值功率1550nm激光二极管芯片及制备方法
高峰值功率1550nm激光二极管芯片及制备方法
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作者: 任永学 李再金 赵志斌 乔忠良 李林 571158 海南省海口市龙昆南路99号
本发明涉及一种高峰值功率1550nm激光二极管芯片及制备方法,该芯片包括多个PN结、高掺杂电阻区和N型衬底;多个PN结从下到上依次叠加;每两个PN结之间通过高掺杂电阻区连接;N型衬底位于最低层PN结的下方;如果没有高掺杂电阻区,会导...
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一种260nm紫外激光发射装置
一种260nm紫外激光发射装置
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作者: 李再金 李林 乔忠良 赵志斌 曾丽娜 彭鸿雁 571158 海南省海口市琼山区府城街道龙昆南路99号
本发明公开了一种260nm紫外激光发射装置。包括520nm半导体激光器;520nm聚焦镜,其前后表面镀112nmT/62nmS/97nmT/60nmS光学膜;CLBO倍频晶体,前表面镀28nmH/41nmS/39nmH/47nmS/28nmH/41nmS/39nmH/47nmS/28nmH/41nmS/39nmH/48nmS/28nm...
来源: 万方专利 评论
一种水平空气柱电流注入孔径结构的垂直腔面发射激光器
一种水平空气柱电流注入孔径结构的垂直腔面发射激光器
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作者: 李林 曾丽娜 李再金 赵志斌 乔忠良 彭鸿雁 571158 海南省海口市琼山区龙昆南路99号
本实用新型属于半导体光电子技术领域,涉及一种水平空气柱电流注入孔径结构的垂直腔面发射激光器(VCSEL)结构及其制备方法,包括底部同质结分布布拉格反射镜(DBR)和顶部同质结DBR以及电流注入孔径的制作方法,从而实现GaN基VCSEL...
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电化学定域性刻蚀多孔InP光波导
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半导体技术 2020年 第12期45卷 964-968页
作者: 尤明慧 祝煊宇 李雪 董明雪 王勇 吉林农业大学信息技术学院 长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室 海南师范大学物理电子工程学院
采用电子束光刻技术与电化学定域性刻蚀技术制备了多孔InP光波导。使用扫描电子显微镜对电化学定域性刻蚀方法制备的多孔InP进行表征和分析,研究了电流密度、掩模图形和刻蚀时间对定域性刻蚀制备的多孔InP结构的影响。电化学刻蚀过程中... 详细信息
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一种带有阶梯型量子阱结构的发光二极管及其制备方法
一种带有阶梯型量子阱结构的发光二极管及其制备方法
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作者: 赵志斌 谢琼涛 乔忠良 徐东昕 陈劲松 刘国军 571158 海南省海口市龙昆南路99号
本发明公开了一种带有阶梯型量子阱结构的发光二极管,包括:N型电极、P型电极、衬底、以及依次层叠于衬底上的N型导电层、量子阱有源区、P型电子阻挡层和P型导电层;其中,N型电极与N型导电层电连接;P型电极与P型导电层电连接;量子...
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一种发射波长228nm全固态激光装置
一种发射波长228nm全固态激光装置
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作者: 李再金 李林 乔忠良 赵志斌 曾丽娜 彭鸿雁 571158 海南省海口市琼山区府城街道龙昆南路99号
本发明公开了一种发射波长228nm全固态激光装置,包括808nm半导体激光器;808nm聚焦镜;Nd:YVO4激光晶体;平面镜;LBO晶体;平凹镜A;BBO晶体;平凹镜B;228nm滤光片。808nm半导体激光器发射的808nm激光通过808nm聚焦镜将808nm激光聚焦...
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聚合物太阳能电池中石墨烯量子点掺杂材料的优化
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发光学报 2020年 第9期41卷 1137-1145页
作者: 孙强 范思大 董金鹏 苏和平 王丽娟 李占国 长春工业大学化学工程学院 长春理工大学光电工程学院 海南师范大学物理电子工程学院
采用溶剂热法,以氧化石墨烯为前驱体制备了石墨烯量子点(GQDs),将不同制备条件和质量分数的GQDs掺杂到聚3-己基噻吩和[6,6\]-苯基-C61-丁酸甲酯(PCBM∶P3HT)中作为敏感层制备了太阳能电池器件。实验结果表明,敏感层掺杂0.2%质量分数... 详细信息
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