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一种利用光学谐振腔增强磁光克尔效应的方法

专利申请号:CN201810251320.2

公 开 号:CN108535893A

发 明 人:宋玉军 张伟伟 赵翠翠 韩泽欣 

代 理 人:张仲波

代理机构:北京市广友专利事务所有限责任公司 11237

专利类型:发明专利

申 请 日:2018091400

公 开 日:20180326

专利主分类号:G02F1/09(2006.01)I

摘      要:本发明提供一种利用光学谐振腔结构增强磁光克尔效应的方法,属于纳米加工制备技术领域。该方法首先选取洁净的平整薄片为衬底;然后利用磁控溅射、热蒸镀、分子束外延(MBE)、金属有机气相化学沉积(MOCVD)、原子层沉积(ALD)和旋涂方法中的一种或几种在备好的衬底上依次构筑高反射率薄膜、高透射率薄膜、磁性薄膜、高透射率薄膜或者依次为高反射率薄膜、高透射率薄膜、磁性薄膜,最后得到可以明显增强磁性薄膜层磁光克尔信号的多层复合纳米结构。该方法通过单纯的制备光学谐振腔达到控制磁光克尔信号,操作过程简单易行。

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