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单电子晶体管与MOS管构成的双阈值逻辑单元

单电子晶体管与MOS管构成的双阈值逻辑单元

专利申请号:CN201310233035.5

公 开 号:CN103281072B

发 明 人:魏榕山 陈锦锋 于志敏 何明华 

代 理 人:蔡学俊

代理机构:福州元创专利商标代理有限公司 35100

专利类型:发明专利

申 请 日:2015081200

公 开 日:20130613

专利主分类号:H03K19/20(2006.01)I

摘      要:本发明涉及一种单电子晶体管与MOS管构成的双阈值逻辑单元,包括一PMOS管、一NMOS管和一单电子晶体管,所述PMOS管的源极连接电源Vdd,栅极连接一基准电压Vpg,漏极作为所述双阈值逻辑单元的输出端并连接所述NMOS管的漏极,所述NMOS管的栅极连接一基准电压Vng,源极连接所述单电子晶体管的漏极,所述单电子晶体管的源极接地,背栅连接一背栅电压Vctrl,所述单电子晶体管包括四个输入端V1、V2、V3和V4,设置相应的V1,V2,V3,V4和Vctrl,即可实现任意的二变量逻辑函数。本发明可以实现双阈值的逻辑功能,具有可重构的特性,可以实现任意的二变量逻辑函数。

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