一种半导体材料的触头制作方法

专利申请号：CN201911017260.9

公 开 号：CN110767543A

发 明 人：闫一方 

代 理 人：王志敏

代理机构：11589 北京劲创知识产权代理事务所(普通合伙)

专利类型：发明专利

申 请 日：2020020700

公 开 日：20191024

专利主分类号：H01L21/28(20060101)

摘      要：本发明提供一种半导体材料的触头制作方法，涉及材料科学技术领域。该半导体材料的触头制作方法，包括以下步骤：S1.准备一半导体材料作为基板，对基板的表面进行抛光处理，然后去除基板表面的污物，并将基板放入到HCl溶液中浸泡3?5min，取出后放入到真空环境中，利用去离子水对其表面进行反复冲洗，最后利用氮气对其进行干燥处理；S2.在基板表面形成多个触头区，然后利用溅射法对基板表面进行钝化，形成二氧化硅钝化层，钝化温度为800?1200℃。通过制作触头的过程中，在基板的表面形成两层钝化层，使得半导体材料的表面以及触头位置都不易受到腐蚀，大大提高了基板以及触头的性能，从而让半导体器件使用的稳定性较好。