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一种半导体材料的触头制作方法

一种半导体材料的触头制作方法

专利申请号:CN201911017260.9

公 开 号:CN110767543A

发 明 人:闫一方 

代 理 人:王志敏

代理机构:11589 北京劲创知识产权代理事务所(普通合伙)

专利类型:发明专利

申 请 日:2020020700

公 开 日:20191024

专利主分类号:H01L21/28(20060101)

摘      要:本发明提供一种半导体材料的触头制作方法,涉及材料科学技术领域。该半导体材料的触头制作方法,包括以下步骤:S1.准备一半导体材料作为基板,对基板的表面进行抛光处理,然后去除基板表面的污物,并将基板放入到HCl溶液中浸泡3?5min,取出后放入到真空环境中,利用去离子水对其表面进行反复冲洗,最后利用氮气对其进行干燥处理;S2.在基板表面形成多个触头区,然后利用溅射法对基板表面进行钝化,形成二氧化硅钝化层,钝化温度为800?1200℃。通过制作触头的过程中,在基板的表面形成两层钝化层,使得半导体材料的表面以及触头位置都不易受到腐蚀,大大提高了基板以及触头的性能,从而让半导体器件使用的稳定性较好。

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