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一种制造半导体器件的方法和半导体器件

一种制造半导体器件的方法和半导体器件

专利申请号:CN201911028418.2

公 开 号:CN110752206A

发 明 人:闫一方 

代 理 人:王志敏

代理机构:北京劲创知识产权代理事务所(普通合伙)

专利类型:发明专利

申 请 日:2020020400

公 开 日:20191028

专利主分类号:H01L23/60

摘      要:本发明提供一种制造半导体器件的方法和半导体器件,涉及半导体技术领域。该制造半导体器件的方法和半导体器件包括半导体衬底,所述半导体衬底的上方设置有硅胶板,所述硅胶板的上方设置有金属板,所述金属板的上方设置有掩膜层,所述半导体衬底的下方设置有平衡层,所述硅胶板的底部设置有多个延伸块,所述延伸块延伸至半导体衬底的内部,所述金属板的底部设置有多个贯穿段,所述贯穿段贯穿硅胶板并延伸至半导体衬底的内部。通过在半导体衬底与金属板之间设置硅胶板,从而有效的屏蔽了自身静电对半导体器件本体的影响,使得半导体器件中对抗静电效果明显,能够有效的改善静电对半导体器件工作的影响。

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