一种制造半导体器件的方法和半导体器件

专利申请号：CN201911028418.2

公 开 号：CN110752206A

发 明 人：闫一方 

代 理 人：王志敏

代理机构：北京劲创知识产权代理事务所(普通合伙)

专利类型：发明专利

申 请 日：2020020400

公 开 日：20191028

专利主分类号：H01L23/60

摘      要：本发明提供一种制造半导体器件的方法和半导体器件，涉及半导体技术领域。该制造半导体器件的方法和半导体器件包括半导体衬底，所述半导体衬底的上方设置有硅胶板，所述硅胶板的上方设置有金属板，所述金属板的上方设置有掩膜层，所述半导体衬底的下方设置有平衡层，所述硅胶板的底部设置有多个延伸块，所述延伸块延伸至半导体衬底的内部，所述金属板的底部设置有多个贯穿段，所述贯穿段贯穿硅胶板并延伸至半导体衬底的内部。通过在半导体衬底与金属板之间设置硅胶板，从而有效的屏蔽了自身静电对半导体器件本体的影响，使得半导体器件中对抗静电效果明显，能够有效的改善静电对半导体器件工作的影响。